氧化膜生長的過程是鋁制件在氧化溶液中通電反應(yīng)、氧化膜形成和溶解同時(shí)進(jìn)行的矛盾過程，只有在形成的速度大于溶解的速度時(shí)，氧化膜才會得到增長。反之，倘若溶解速度大于或等于生長速度，那么就不可能獲得所需要的氧化膜層。在生產(chǎn)過程中，必須注意下述因素對氧化膜質(zhì)量的影響。
(1)硫酸濃度的影響：一般采用15％～20％的H2SO4作電解液，當(dāng)濃度超過上限時(shí)，膜的溶解速度加大，同時(shí)成膜的速度會降低。在工藝范圍內(nèi)變動時(shí)，H2SO4濃度高時(shí)，得到的膜孔隙率大，吸附能力好，彈性高，易于染色；較稀的濃度下獲得的膜硬而厚，而且耐磨性能好；硫酸含量不變時(shí)，當(dāng)加入2％草酸，由于草酸在膜上的特性吸附，結(jié)果形成一個緩沖層，使膜附近的H+濃度減少，因而使得膜的溶解速度放慢，這樣有利于膜的增長，同時(shí)還能抑制熱效應(yīng)的作用，允許的槽液溫度增高。若加入適量的甘油，也會獲得相似的效果。
(2)電流密度、電壓的影響：提高電流密度可以加速氧化膜的生長，一般為1.0A／dm2為好，電流密度太高時(shí)，由于生成熱和焦耳熱，容易形成疏松的粉狀膜層，降低了氧化膜質(zhì)量，所以在一定工藝允許范圍內(nèi)，提高電流密度可加快膜層的生長速度。
陽極氧化過程中，電流和電壓是相互影響的。開始氧化時(shí)，由于很快生成一層薄而密的阻擋層，電阻增大，電流密度就會降低。此時(shí)必須升高電壓，使得電流繼續(xù)通過，另外，電壓較高時(shí)，還會使得氧化膜的孔隙率變小，但孔徑大；當(dāng)電壓太高時(shí)，在制件的邊緣、尖角部位會造成擊穿，這些地方的電流密度會過大，往往造成粗糙粉狀的現(xiàn)象，影響氧化膜的質(zhì)量。
(3)電解液溫度的影響：在硫酸電解液中，溫度的影響和硫酸濃度的影響相似。一般控制在室溫下生產(chǎn)為宜。當(dāng)溫度為15～25℃時(shí)，所獲得氧化膜多孔，吸附性能好，柔軟但耐磨性能差；溫度高于30℃時(shí)，膜就變得不均勻、不連續(xù)；溫度太高甚至生成粉狀膜，因而失去了使用的價(jià)值。放出、生成的熱與加工的面積和時(shí)間成正比，因此必須用冷卻設(shè)備及時(shí)把這些熱量除去，而且氧化槽不能太小，體積電流密度以不大于0.3A／dm2為好。
(4)氧化時(shí)間的影響：在工藝范圍內(nèi)，氧化膜的生長速度與氧化時(shí)間成正比，膜生長平均速度為0.2～0.3μm／min。氧化時(shí)間過長時(shí)，膜的外層由于電阻加大的影響容易溶解，孔徑變大，而且粗糙，硬度、耐磨度都相應(yīng)降低。在裝飾性氧化時(shí)，一般控制在30～40min為好；當(dāng)需染深色或難吸附的顏色時(shí)，可延長至90min；時(shí)間太長，由于膜層加厚，內(nèi)應(yīng)力隨之變大，容易產(chǎn)生裂紋。
為了獲得厚而硬的氧化膜，可改變操作條件如加大電流、控制較低的溶液溫度，有時(shí)根據(jù)需要可加工幾小時(shí)。
(5)攪拌和移動陰極：目前國內(nèi)常采用壓縮空氣攪拌(但應(yīng)是凈化無油的)或用泵連續(xù)抽出溶液冷卻循環(huán)。也有采用移動陽極等其他機(jī)械攪拌裝置。目的在于通過強(qiáng)化攪拌，帶走陽極表面所生成的熱量，保證了電解液溫度的均勻性，以免由于局部溫度增高，導(dǎo)致膜的質(zhì)量下降。
(6)電解液中雜質(zhì)的影響：陽極氧化與其他鍍種一樣，當(dāng)雜質(zhì)超過允許上限時(shí)，都會導(dǎo)致氧化膜的質(zhì)量下降。
當(dāng)活性離子C1-及F-存在時(shí)，氧化膜的孔隙率增加，膜層表面粗糙而疏松，甚至點(diǎn)狀地穿孔，造成產(chǎn)品不可補(bǔ)救的弊病。有的產(chǎn)品為了獲得柔軟性，在電解液中可添加少量的MgC12.
A13+件含量增加往往使表面呈現(xiàn)白點(diǎn)或塊狀的白斑，使膜層的吸附性能下降，不容易染色。從處理方法上的經(jīng)濟(jì)考慮，一般需抽調(diào)槽底下部分的老溶液，補(bǔ)充一部分新溶液。
微量Cu2+的存在會使氧化膜出現(xiàn)暗色的條紋和斑點(diǎn)，可用直流電解除去。陰極電流密度控制在0.1～0.2A／dm2，使銅在陰極上析出。
Si常以懸浮狀態(tài)存在，使氧化膜上出現(xiàn)褐色的粉狀物，仔細(xì)地過濾可以除去，所以氧化槽中的雜質(zhì)應(yīng)控制在下述容量之內(nèi)：
氯離子(C1-) <0．05g／L
氟離子(F-) <0．01g／L
鋁離子(A13+) <20g／L
亞鐵離子(Fe2+) <0．02g／L
銅離子(Cu2+) <0．02g／L
硅(Si) 微量
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